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PN结正向偏置和反向偏置的原理

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发表于 2024-5-22 23:00:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
正向偏置:

1. 当外加直流电压使PN结P型半导体的一端电位高于N型半导体一端的电位时,称为正偏。此时,外加电场的方向与PN结产生的内电场方向相反,削弱了内电场,使PN结变薄,有利于两区多数载流子向对方扩散,形成正向电流。

2. 正向偏置使PN结的电阻降低,呈现出低阻、导通状态。

反向偏置:

1. 当外加直流电压使PN结N型半导体的一端电位高于P型半导体一端的电位时,称为反偏。此时,外加电场的方向与PN结产生的内电场方向一致,因而加强了内电场,使PN结加宽,阻碍了多子的扩散运动。

2. 反向偏置使PN结的电阻增加,呈现出高阻、截止状态。由于少子浓度主要与温度相关,因此反向电流与反向电压几乎无关。

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