PN结正向偏置和反向偏置的原理
正向偏置：1. 当外加直流电压使PN结P型半导体的一端电位高于N型半导体一端的电位时，称为正偏。此时，外加电场的方向与PN结产生的内电场方向相反，削弱了内电场，使PN结变薄，有利于两区多数载流子向对方扩散，形成正向电流。
2. 正向偏置使PN结的电阻降低，呈现出低阻、导通状态。
反向偏置：
1. 当外加直流电压使PN结N型半导体的一端电位高于P型半导体一端的电位时，称为反偏。此时，外加电场的方向与PN结产生的内电场方向一致，因而加强了内电场，使PN结加宽，阻碍了多子的扩散运动。
2. 反向偏置使PN结的电阻增加，呈现出高阻、截止状态。由于少子浓度主要与温度相关，因此反向电流与反向电压几乎无关。
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